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2026年3月，矽赫微科技（上海）有限公司（以下简称“SHW”）书记完成新一轮融资，由元禾璞华领投，合肥产投、哇牛老本、正人兰老本、萨珊老本、曦晨老本、苏高新、东方嘉富以及江苏大摩半导体等繁密闻明投资机构和产业方投资。融资将要点用于搀杂键合设备、XOI复合衬底全自动键合设备、BSPDN全自动键合设备、高真空异质键合设备、D2W搀杂键合晶圆名义处理系统等中枢设备的国内市集化布局，加快居品产业化落地与客户拜托。
SHW总部位于上海浦东新区，并设有日本研发中心，专注于半导体晶圆永远键合处罚有操办，依托中日整建制团队的深度协同形成了私有的技巧研发上风。公司中枢团队智力精确互补，具备掩盖等离子活化、清洗、瞄准、键合、量检测等搀杂键合设备全经由中枢研发智力。中方团队中枢成员多来自睿励、上海微等国内半导体设备龙头，带头东说念主王笑寒博士领有好意思国20余年先进相关及KLA责任劝诫，创办的睿励科学仪器是国内首批半导体前说念工艺及首家量检测规模国产设备企业，推动了国内有关设备的国产化从 0 到 1 的突破；日方团队带头东说念主长田厚TEL降生，在等离子体、键合、清洗等规模劝诫丰富，曾指挥团队班师为外洋头部Fab厂拜托搀杂键合设备，还主导刻蚀、硅化、CVD等多款半导体设备开发，具备教训的高端设备量产落地智力。
当今，SHW已构建起完善的居品矩阵，涵盖XOI复合衬底全自动键合设备、全自动搀杂键合设备、BSPDN全自动键合设备、高真空异质键合设备、D2W搀杂键合晶圆名义处理系统五大中枢装备，并配套量检测、退火等设备。公司人人独创的IFB键合技巧可结束双片原位高效无损键合，在低应力异质键合规模结束突破。此外，还领有模块化想象与多元工艺技巧储备，可横向拓展多种键合技巧打造四合一设备，纵向蔓延至红外难得检测、快速退火等卑鄙工艺。现阶段，公司居品已在国表里多家头部Fab厂打样并获高度认同，与大陆、台湾、日本市集多家量产客户及科研院所达成战术配合与采购合同，瞻望2026年3月键合设备主机台将正经发往客户端。
人人半导体产业正加快向3D集成转型，搀杂键合技巧成为要道突破口。HBM、3D NAND、CIS等居品的先进封装工艺均离不开搀杂键合技巧，且跟着居品迭代，对键合精度条目已来到100nm节点。举例HBM居品，跟着堆叠层数增至12层以上，搀杂键合替代传统凸点技巧，接点密度可至少普及20倍。在应用搀杂键合时，1平淡毫米的面积内可皆集10,000至100,000个通孔，在极大提高传输密度的同期可大幅度臆造功耗、普及分娩后果、臆造分娩成本；行业巨头如台积电、三星和英特尔正在竞相股东5纳米及更先进制程技巧的开发，在这一进度中，搀杂键合技巧显得尤为要道，被视为高端制造的必由之路。
在第三代半导体材料制造规模。HCUT技巧通过氢离子注入剥离与平直键合工艺贯串，立异性地结束SiC、GaN、LiNbO3、Ga2O3等高品性外延片的低成本量产。其中枢旨趣为：运用高能氢离子在单晶外延层下方形成纳米级挫伤层，通过精确退火剥离外延层并键合至多晶衬底，形成"单晶薄膜+低成本衬底"的复合结构。而无中间层键合技巧，可去除晶圆名义杂质层，结束键合后材料间的平直电性战争，为分娩导电型化合物衬底和更优性能的器件提供可能性，以SmartSIC为例，使用高掺SIC多晶衬底和SIC外延键合，可提供SIC功率器件约21%的性能。当今，Soitec与Resonac已联手股东200mm SmartSiC晶圆量产，同期融合意法半导体、X-FAB等35家厂商构建技巧生态，象征着人人第三代半导体产业链参加技巧竞速新阶段，无中间层键合技巧也成为国表里材料厂商“必争之地”。
依托中日两边的优质资源与技巧蓄积，SHW成为国内为数未几的能提供齐全键合处罚有操办的企业，可提供100nm高精度搀杂键合有操办、多种材料无中间层键合处罚有操办，以及 20nm 套刻测量、教训技巧快速退火设备，大要基于自己技巧劝诫、行业 Know-how，精确匹配险阻游产业链的施行需求。在团队开采方面，除了创始团队中的等离子体、键合工艺、软件算法、光学想象行家外，公司后续还将进一步引入光学量测、微环境截止、应用技巧、新材料研发等规模领有多年行业劝诫的行家。
工艺方面，SHW通过与国表里大型fab、研发平台配合，贯串产线分娩机台及工艺节点施行需求响应，蓄积了多数珍视的键合工艺know-how。并基于这些数据，打造不同材料和工艺大模子，以揆时度势工艺试错时刻，镌汰新工艺开发周期，闲适客户个性化的工艺需求。
本轮融资的圆满落地，不仅是投资机构对SHW技巧实力、居品落地智力及发展出路的高度认同，更体现了产业投资方对高端键合赛说念国产化布局的恒久看好。在各方资源的协同助力下，公司将抓续股东高端键合全栈居品的自主立异与国产化攻坚，深远与客户、供应链生态伙伴的战术配合，构建互利共赢的产业协同体系，联袂行业共同探索并界说新一代键合技巧体系，推动先进封装键合技巧的迭代升级。
SHW创始东说念主王笑寒博士暗意：“先进封装的中枢是互连密度与制酿成本的均衡，H-CUT工艺抉择也是。SHW以三大立异破局：一是中日协同研发，新工艺、新设备周期差异镌汰30%、50%；二是联动行业龙头，共建搀杂键合与Chiplet异质键合平台；三是攻坚国产部件考证替代，突破入口设备技巧壁垒。而当咱们把键合精度股东到50nm以内，本色上会重构产业链价值分拨权。”
元禾璞华董事总司理陈瑜暗意：“本年是AI爆发式增长的一年，材料分娩端，SOITEC在角落盘算与AI场地的营收占其总营收的42%；芯片想象端，英伟达、AMD等在AI规模按捺加码；OpenAI、Google等公司模子迭代速率极快；AI正在全面重构人人产业样貌与经济结构。咱们看好SHW键合技巧在AI有关材料、算力、存储等中枢样式的底层撑抓价值，是咱们在产业链布局的中枢竞争力。”
东方嘉富履行总司理罗毅风暗意：搀杂键合是后摩尔期间半导体产业的中枢底层工艺，在先进封装、SOI材料、Micro LED等规模的应用价值抓续开释，发展后劲强大。SHW中日整建制团队形成了极强的智力互补，交融了原土产业化劝诫与外洋顶尖技巧积淀，咱们看好公司抓续的自主立异智力，将抓续助力键合技巧在各中枢规模结束突破。